本文摘要：在美国加州圣克拉拉举行的闪充峰会上，三星宣告了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体填充3D存储器）早已构建了64层晶粒（DIE）填充，存储密度再度突破新纪录，多达了外媒刚刚经过项目管理的PortableSSDT3中非常令人震惊的48层V-NAND立体填充.。

在美国加州圣克拉拉举行的闪充峰会上，三星宣告了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体填充3D存储器）早已构建了64层晶粒（DIE）填充，存储密度再度突破新纪录，多达了外媒刚刚经过项目管理的PortableSSDT3中非常令人震惊的48层V-NAND立体填充.。

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